sábado, 17 de agosto de 2013

Electronica de Potencia


ELECTRONICA DE POTENCIA

La electrónica de potencia convierte  la energía eléctrica de un tipo de otra de otro tipo utilizando para ello dispositivos electrónicos. Para tal fin se utilizan dispositivos semiconductores como interruptores para controlar o modificar una tensión o una corriente.
Sus aplicaciones abarcan diversos campos como: -Equipos de conversión de alta potencia, transmisión de corriente continua y alterna, fuentes comunes, etc, conversión de corriente alterna en continua y visceversa, construcción de fuentes reguladas y no reguladas y otras. La electrónica de potencia abarca diversos campo dentro de la ingeniería como teoría de circuitos, de control, electromagnetismo, microprocesadores, térmica, etc.
Los interruptores electrónicos básicamente están en un estado ON y un estado OFF. Cuando un interruptor es ideal la corriente y tensión de conmutación son iguales a cero (como un interruptor mecánico), aunque realmente los dispositivos de interrupción electrónica consumen cierto grado de tensión y corriente, pero no lo suficientemente altas como para afectar el rendimiento del circuito.

CLASIFICACION DE CONVERTIDORES

Los circuitos convertidores se encargar de adaptar los requisitos de tensión y corriente de la carga al generador. Estos circuitos convierten una forma de onda de ciertas características en otra forma de ondas de otras características y se clasifican según la relación que exista entre la entrada y la salida.
-Convertidor CA/CC : Producen una salida continua a partir de una entrada alterna, desde un generador de alterna a una carga de corriente continua y se denominan RECTIFICADORES.

-Convertidor CC/CA : La potencia fluye desde el lado de la corriente alterna hasta el lado de la corriente alterna y se denominan INVERSORES
-Convertidor CC/CC: se usan cuando la carga necesitan un valor de corriente continua diferente al entregado por el generador y/o no regulado. Útiles por ejemplo en un circuito integrado que trabaja a 5V y el generador entrega 12V, con un convertidor cc-cc se soluciona.

-Convertidor CA/CA: Se utiliza en aplicaciones donde se necesita cambiar la amplitud o la frecuencia de una señal alterna, por ejemplo para regular la velocidad de un motor de inducción.
Los anteriores tipos de convertidores se pueden combinar para satisfacer las necesidades del circuito o la aplicación en particular.

INTERRUPTORES ELECTRONICOS
Los interruptores electrónicos se modelan como cortocircuitos cuando están cerrados y circuitos abiertos cuando no lo están, es decir como interruptores ideales donde las transiciones son instantáneas, entonces podemos citar algunos:

-Diodos: Son los dispositivos más sencillos, aunque la forma de controlarlos radica básicamente en que el sentido de la corriente indica si están en cortocircuito (cerrado) o si están en circuito abierto. El diodo esta polarizado en directa cuando la corriente es positiva y está en inversa cuando la corriente es negativa. Una característica importante del diodo es su corriente de recuperación inversa, que significa que cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en el disminuye y por un instante se hace negativa antes de ser cero (0 A), por esta razón algunos diodos tiene un diseño especial para su tiempo de recuperación sea corto o inferior a 1 uS.

 Los diodos Schottly poseen un contacto de metal-silicio en lugar de una unión p-n, teniendo una caída de tensión de 0.3V, la barrera de potencial no está sujeta a transitorios de recuperación y conmuta más rápidamente que un diodo común

-Tiristores: Son interruptores electrónicos usados en aplicaciones de potencia donde es necesario controlar la activación del interruptor. Constituyen una famila de componentes de tres terminales como los SRC (rectificador controlado de Silicio), el TRIAC, el tiristor de bloqueo por puerta (GTO) y el tiristor MCT o tiristor controlado por MOS. Sus terminales son llamadas ANODO, CATADO Y PUERTA.
Para que el SCR entre en conducción debe haber una  corriente positiva mínima,  entre los terminales ANODO Y CATODO llamada corriente de mantenimiento y que en la PUERTA exista una señal de activación o corriente de puerta, la cual, una vez entre en conducción el SRC no es necesario aplicarla más. El SRC deja de conducir cuando no exista corriente entre ANODO Y CATODO o sea negativa.




El tiristor GTO al igual que el SRC se activa con una corriente de puerta pero se puede desactivar usando también una corriente de puerta negativa mucho mayor que para activarlo, generalmente un tercio de la corriente de ánodo en estado de conducción. El Triac es capaz de conducir corriente en ambos sentidos, como dos SRC conectados en antiparalelo. El MCT es un dispositivo como el GTO, pero necesita es un tensión adecuada entre la PUERTA-CATODO, en lugar de una corriente de puerta.
-Transistores: Se usan en electrónica de potencia en sus estados de CORTE o SATURACION. En situaciones de amplificación se usan en su zona ACTIVA y tienen la ventaja que proporcionan control sobre la activación o desactivación. Los tipos mas usados son los BJT, FET, IGBT.

Un BJT entra en conducción cuando se aplica la suficiente corriente de base para que entre en  conducción. Un BJT de potencia normalmente tiene un corriente de saturación COLECTOR-EMISOR de 1 a 2 V y tienen una baja Hfe a veces menor que 20. Por ejemplo si un BJE va a conducir una corriente de 60 A y su Hfe es igual a 3, entonces la corriente de base debe ser de al menos 3 A. Para evitar extraer tanta corriente del circuito de excitación, se utiliza la CONFIGURACION DARLINGTON cuya ganancia es igual al producto de las ganancias individuales de cada transistor. Los BJT de potencia están disponibles con  valores nominales de hasta 1200 V  y 400 A (valores más altos que los de un MOSFET)
Los MOSFET de potencia son más de acumulación que de empobrecimiento. Una tensión suficientre entre COMPUERTA – FUENTE (VGS) activara el disposivito para que entre DRENADOR Y FUENTE exista una corriente ID. Los MOSFET de baja tensión tienen una resistencia de conduccion que ronda los 0.1 ohmios mientras que los de alta tensión tienen una resistencia de conduccion de unos cuantos ohmios. Sus valores nominales están por el orden de los 1000 V y los 50 A, sus velocidades de conmutación operan por encima de los 100 Khz (más que un  BJT)

El IGBT es un hibrido entre un MOSFET y un BJT, su circuito de excitación es como el de un MOSFET y sus caracteriscas de conduccion son como las de un BJT y pueden operar en conmutación a 20 KHz.




 

miércoles, 7 de agosto de 2013

Transistor de Efecto de Campo JFET

El transistor de efecto de campo FET por sus siglas en ingles Field Efect Transistor son dispositivos similares al transistor BJT, ya que cuentan con tres terminales, aunque tienen algunas diferencias significativas.

La diferencia principal es que el transistor FET es un TRANSISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE mientras que el BJT es controlado por corriente.
La corriente ID (la que circula por el Drenador) es funcion del voltaje VGS (Voltaje Compuerta Fuente)

Los transistores FET se conocen en dos tipos, los de CANAL N y los de CANAL P. El FET es un dispositivo unipolar que depende de la conducción de electrones (canal N) o huecos (canal P), a diferencia de los BJT que son bipolares, es decir que dependen de la conducción de electrones y huecos.
En el transistor FET se estable un campo eléctrico mediante las cargas presentes permitiendo controlar la trayectoria de conducción del circuito de salida, sin tener un contacto directo entre las cantidades controladores y controladas, es decir se comporta como un imán, de ahí su nombre de Efecto de Campo.

Otra caracteriscas del FET es su gran impedancia de entrada, que va desde uno hasta cientos varios de megahoms (útil en la amplificación lineal de AC), la variación de la corriente de salida de los FET es mucho menor que los BJT, por tanto las ganancias de voltaje en amplificación AC son menores en los FET, también los FET son más estables a la temperatura y su construcción es de menor tamaño que los BJT, lo que los hace ideales en la construcción de circuitos integrados, pero esto hace que sean más delicados en su manejo.








Los transistores FET se dividen en dos categorías especiales: Los JFET y los MOSFET, que a su vez se dividen en incrementales y decrementales.

JFET = Juntion Field Effect Transistor
MOSFET = Metal-oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Características de los FET

Para el caso de un dispositivo canal N, vemos que la mayor parte es de material tipo n que forma el canal entre las capas integradas de material tipo p. La parte superior e inferior del material tipo n, se conecta mediante contactos ohmicos a los terminales llamadas Drenaje y Fuente o Drain y Source, (D) y (S) respectivamente. El material tipo p (las dos capas) están conectadas entre sí por contactos ohmicos y también a la terminal llamada Gate o computerta (G)
En la mayoría de los casos, el diseño del canal es simétrico y cualquiera se puede utilizar como drenador o fuente, pero en otros es asimetro, por tanto exite un pin para el drenador y otro para la fuente.


Notemos que para el símbolo del canal N la fecha apunta hacia adentro y para el canal P, hacia afuera.

En el instante en que se aplica un voltaje Vds, los electrones serán atraídos a la terminal de drenaje con lo que se establece una corriente Id, con la dirección de la figura, las corrientes de drenaje y fuente (D) y (S) son equivalentes de acuerdo a la trayectoria del flujo de carga, el cual se encuentra sin inhibición y limitado solamente por la resistencia que existe en el canal n entre el drenaje y la fuente.

Funcionamiento del FET de unión

Para operar correctamente un FET de unión o JFET debe tener dos tensiones aplicados o voltajes de polarización, uno entre el drenador y la fuente (VDS) y otro entre la compuerta y la fuente (VGS)

La fuente conecta a VGS se dispone de tal forma que polarice inversamente la unión PN. En un JFET de canal N la fuente debe ser positiva con respecto a la compuerta (G) y negativa con respecto al drenador (D), así mismo en un JFET de canal P, la fuente debe ser negativa con respecto a la compuerta (G) y positiva con respecto al drenador (D).

El efecto de lo anterior, es que se crea una corriente ID, llamada corriente de drenaje, la cual circula a lo largo del canal entre el drenador y la fuente, lo que constituye el hecho que el voltaje VGS controla el voltaje existente entre D y G, como si fuera una resistencia variable.

Para el JFET de canal N, cuando se aplica una tensión inversa de polarización, se crea en la frontera de la unión PN una región llamada región de agotamiento, donde se acumulan una gran cantidad de huecos en el sustrato o canal P y se agotan los electrones en la canal N, haciendo que la región de agotamiento se forme dentro del canal, aumentando o disminuyendo su espesor, lo que determina en ultimas la cantidad de electrones que pueden pasar.

Note que la región de agotamiento es más amplia en el lado del drenador (D), puesto que está sometido a una polarización inversa mayor que la fuente (S). Para un JFET canal N La relación entre el voltaje GS  y la corriente IDS es inversa, puesto que a medida que aumenta el voltaje VGS la corriente IDS disminuye, por eso el dispositivo presenta una resistencia de entrada muy alta y a través de la compuerta (G) solo fluye una corriente muy débil. La corriente ID se puede hacer fluir por cualquier tipo de carga y obtener así ganancia de voltaje o potencia.
La resistencia de entrada de un JFET es del orden de los miles de mega ohmios mientras que la de salida es del orden de los kilo ohmios a mega ohmios.
La transconductancia (gm) es la relación entre el efecto de la tensión de la compuerta (VGS) sobre la corriente de drejane (ID), típicamente se encuentra entre los 4 a 10 mA / V y los MOSFET tienden a ser mas altos hasta 20 mA / V

Resistor Controlado por Voltaje

La región óhmica es conocida como resistencia controlada por voltaje, en esta región el FET puede ser usado como un resistor variable, cuya resistencia es controlada por el voltaje aplicado de la compuerta a la fuente. La resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente cuando el voltaje VDS < Vp (donde Vp es el voltaje de estrechamiento, donde las regiones P casi se tocan), es una función del voltaje aplicado VGS, entre más negativo este voltaje la curva es mas horizontal. La siguiente ecuación define esta resistencia, teniendo en cuenta la pendiente de la curva


Donde Ro es la resistencia cuando VGS = 0 V y Rd es la resistencia a un nivel particular de VGS

TRANSISTORES MOSFET

La palabra MOSFET proviene de las siglas en ingles METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico). Es un dispositivo donde la compuerta (G) está aislado eléctricamente del canal mediante una fina capa de óxido metálico (IGFET o MOS)
Tal vez la diferencia más importante entre el JFET y el MOSFET es que el primero solo trabaja con una polaridad en la tensión de la compuerta (+ ò -) mientras que el MOSFET puede trabajar con dos polaridades o con una sola (+ y -), son muy inmunes al ruido, consumen poca potencia y son muy flexibles y se pueden integrar a gran escala, como la famosa familia CMOS de circuitos integrados. Es importante saber que se dañan muy fácil por descarga electrostática.




En la imagen se observa un transistor MOSFET de canal N. La compuerta está aislada eléctricamente mediante una capa de bióxido de silicio (SiO2), lo que le ofrece, por ejemplo, una alta impedancia de entrada. Observe que el canal N se forma dentro del sustrato P como en el FET de unión, sin embargo en el MOSFET, el sustrato está conectado eléctricamente a la fuente y no a la compuerta. Aunque la compuerta y el canal no forman una unión PN como en el JFET, la compuerta sigue siendo el terminal que controla la conductividad del canal. Aunque la compuerta y el canal no forman una unión PN como en el JFET, la compuerta sigue controlando la conductividad del canal.
El voltaje entre compuerta y fuente puede ser positivo o negativo y controla la concentración de portadores de corriente, veamos lo siguiente

VGS = NEGATIVO     Electrones son atraídos al canal P
                                      Aumenta la resistencia
                                      Se reduce ID
                                      Opera en MODO AGOTAMIENTO
VGS =  POSITIVO      Electrones son rechazados por el canal P
                                      Disminuye la Resistencia
                                      Aumenta ID
                                      Opera en MODO DE REALCE
Los valores de Trasconductancia (gm) en los MOSFET son similares a los JFET